| <プレス発表 2010年11月24日> 耐熱性に優れる低融点Ge-Cu-Te系相変化メモリ材料の開発に成功 2010年11月24日 (日本経済新聞(電子版))、2010年11月25日 (読売新聞、日刊工業新聞、河北新報) 東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻の須藤祐司准教授、小池淳一教授、(齊藤雄太、鎌田俊哉、隅谷真志各大学院生)らのグループは、耐熱性に優れる低融点Ge-Cu-Te系相変化メモリ材料の開発に成功した。この成果によって、相変化メモリの欠点であるデータ書換消費電力を低減できるだけでなく、高温環境下でデータが消失してしまう問題を解消できる。 Click!! >>> プレスリリース本文 |
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